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2020-10-26
2020-10-20
2011年,中微第二代电介质刻蚀产品Primo AD-RIE刻蚀设备研制成功,可用于45nm到14nm后段制程以及10nm前段应用的开发。同时,中微通过建立全球化的采购体系,与供应商密切合作,制造出模块化、易维护、具有成本竞争优势的产品;其通过科学的方法管理库存,有效地降低了公司的运营成本。2013年,CCP刻蚀设备产品Primo SSC AD-RIE刻蚀设备研制成功,可用于40-7nm工艺。三代刻蚀设备,不断迭代,产品线覆盖了多个制程的微观器件的众多刻蚀应用干式恒温加热器。半导体设备产业的波动要大于半导体芯片产业的波动,更大于 GDP 的波动。仅靠单一的设备产品来发展的企业无法抵御市场波动带来的不确定性。为此,中微公司的半导体设备实现了多产品覆盖,2010年,首台深硅刻蚀设备产品研制成功;2012年首台MOCVD设备产品研制成功,产品覆盖集成电路、MEMS、LED 等不同的下游半导体应用市场。在中微的主要产品线刻蚀设备方面,国际巨头泛林科技、东京电子和应用材料均实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖,他们占据了全球干法刻蚀机市场的90%以上份额。即便如此干式恒温加热器,中微还是在介质刻蚀领域实现了突围,将产品打入台积电、联电、中芯国际等芯片生产商的40多条生产线,并实现了量产。